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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFIP054	文件：321.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFM054	文件：15.91 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM054	文件：192.56 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRF International Rectifier	IRF
IRFM054	文件：193.42 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN054	文件：218.41 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=60V,Rds(on)=0.020ohm,Id=55A) RDS(on)0.020? ID55A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-estab	IRF International Rectifier	IRF
IRFN054	文件：219.49 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN054SMD	文件：23.58 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET VDSS60V ID(cont)45A RDS(on)0.027? FEATURES ?HERMETICALLYSEALEDSURFACEMOUNTPACKAGE ?SMALLFOOTPRINT–EFFICIENTUSEOFPCBSPACE. ?SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS ?LIGHTWEIGHT ?HIGHPACKINGDENSITIES	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP054	文件：170.62 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.014ohm,Id=70*A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054	文件：1.53169 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054	文件：1.56179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054	文件：1.56179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054	文件：1.56651 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
IRFP054	文件：204.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=70A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage-:VDSS=60V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.014Ω(Max) ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP054	文件：1.59347 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054	文件：846.67 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054N	文件：109.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.012ohm,Id=81A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054N	文件：335.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?UltraLowOn-resistance ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤12m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP054N	文件：729.95 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmountinghole. ●AdvancedProcessTechnology ●Dynamicdv/dt	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP054NPBF	文件：1.49884 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054NPBF	文件：1.49981 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFC054B
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFC054R	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFC054R	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFC054R	IR	23+		7000		詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFC10N65KB	IR	23+	TO220	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	IRFC130	IR	23+	NA	291	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	IRFC140	IR	1308+	裸片	844	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
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更多IRFC054B供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 14:00:00

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